ГлавнаяДля локального анализа состава поверхностей используют характеристическое излучение, возбуждаемое пучком частиц — рентгеновских квантов (у), электронов (е), ионов (I). В принципе возможны девять комбинаций первичного и вторичного излучения (табл. 10). Методы различаются минимальным диаметром анализируемой площадки d, глубиной анализируемого на ней слоя t и чувствительностью (минимальной обнаруживаемой в объеме td2 концентрацией Cmin). Площадку определяет возможность фокусировки или диафрагмирования первичного пучка, а глубину — поглощение первичного и вторичного излучения. Обычные в литературе сокращения для названий методов:
SIMS — secondary ion mass spectroscopy (ион-ионная или вторичноионная масс-спектроскопия).
RBS — Rutherford backscattering spectroscopy (резерфордовская спектроскопия)
ESMA — electron scattering microanalysis (рентгеновский микрозонд)
XPS — X-ray photoelectron spectroscopy (рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия)
AES — Auger electron spectroscopy (Оже-спектроскопия).
Резерфордовская спектроскопия наблюдает отражение протонов “назад” от тяжелых атомов вещества. В ион-ионных методах либо измеряют потерю энергии ионов U ~ 1 МэВ при неупругом отражении их от тяжелых атомов в слое толщиной ~ 10 нм, либо определяют масс-спектрометром состав поверхности, распыляемой ионами (U ~ 10 кэВ). Селективная регистрация вторичных ионов позволяет наблюдать площадку в 1 мкм2, а при ее построчном движении -вторичноионное изображение.
Испарение поверхности электрической искрой или “ожогом” лазером для последующей масс-спектрометрии ионов дает локальность не лучше 1 мкм (при такой же глубине усреднения состава).