ГлавнаяМногие дислокационные структуры можно привести к простейшей схеме (рис. 70): некоторый (плоский) слой толщиной В содержит дислокации, решетка по обе стороны от него -без дислокаций (их плотность р на порядки меньше). Размещение дислокаций в слое произвольное, но тензорная плотность вij в объемах V-B3 повсюду постоянна. Тогда слой разворачивает прилегающие к нему объемы на угол w. Его компоненты определяются величиной кривизны и кручения. Дислокации с осью х (по нормали к слою) через поверхность слоя не выходят (замкнуты в петли). Поэтому в тензоре плотности дислокаций в слое компоненты вхх = вху = вxz = 0. В плоском слое также вyz = вzy = 0 - иначе система дислокаций неустойчива. Для оставшихся компонент из (5.2.2) и (5.2.3) развороты около трех осей
Развороты wy и wz однотипны — это наклоны около осей, лежащих в плоскости слоя. Их создают краевые дислокации, параллельные оси наклона, с вектором Бюргерса, нормальным к слою. Разворот wx — это кручение около оси, перпендикулярной к слою. Его создали винтовые дислокации в плоскости слоя. Такой занятый дислокациями слой, создающий разворот прилегающих объемов кристалла, называют субзеренной (внутризеренной) границей или субграницей.
Любые превращения дислокаций внутри слоя не изменяют тензор плотности вij в слое. Разворот (1) не меняется и от “сплющивания слоя с сохранением дислокаций: произведение В вij = Ebj В/HB не зависит от В. Итак, любые деформации слоя дислокаций и превращения внутри него не меняют разворота со разделяемых им объемов. Этот “закон сохранения разворота” определяет, например, геометрию структур полигонизации и рекристаллизации. Изменить разворот может только приток дислокаций извне (или выход их из слоя).