Зарождение двойника




Главная
Новости
Строительство
Ремонт
Дизайн и интерьер
Строительная теплофизика
Прочность сплавов
Основания и фундаменты
Осадочные породы
Прочность дорог
Минералогия глин
Краны башенные
Справочник токаря
Цементный бетон




13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017





Яндекс.Метрика
         » » Зарождение двойника

Зарождение двойника

26.07.2017


При напряжении, достаточном для неограниченного расщепления (т/G = 2еду), рост следующих слоев двойника не требует работы. Поэтому для начала двойникования необходимо большое напряжение, и есть корреляция между макроскопическим напряжением начала двойникования и энергией дефекта упаковки (например, тдв/G~Vеду в растворах Cu-Zn, Cu-Al, Cu-Ge).
Когда же дефект стал двуслойным, скорость частичной дислокации приближается к звуковой и не зависит от температуры (под таким напряжением ее движение уже не нуждается в термической активации). Так, двойник в монокристалле железа при 77...400 К растет в длину со скоростью vii = 2,5 км/с (0,4 от скорости звука), а в толщину со скоростью v_/_ = 2 м/с.
Если пробег двойникующей дислокации до перехода в следующую плоскость x/b = vii/V_/_ ~ 10в3, то необходимая плотность дислокаций р ~ х-2 ~ 10в9 см .
Зарождение двойника

Для начала двойникования достаточно одной ломаной дислокации из двух лучей (рис. 60): один луч при “нестандартном” расщеплении ADb —> Abd + bD дает сидячую дислокацию bD и двойникующую Лб, а другой служит осью геликоида для ее вращения. Двойникующая дислокация совершает много оборотов около этой оси как около полюса, наращивая двойник. Действие такого полюсного механизма двойникования наблюдали электронномикроскопически in situ в ГЦК растворе Cu — 5,5%(aT.)Si (с низкой энергией дефекта упаковки — см. рис. 65).
Иной путь зарождения двойника в ГЦК твердых растворах с еще более низкой энергией дефекта упаковки: через расщепление скрепляющей дислокации ав, чтo наблюдали in situ в растворе Cu—8% (aT.)Ge.
Зарождение двойника прослежено in situ в золоте (при электронномикроскопической съемке “с ребра” с разрешением решетки, с интервалом 0,07 с). Сначала от поверхности фольги (от напряжений ее коробления при нагреве пучком) возник и расширялся внутренний дефект упаковки, потом оттуда же появилась вторая частичная дислокация - в следующем атомном слое, и ее движение превращало дефект упаковки во внешний, а затем третья создавала уже трехслойный двойник.

В поликристалле важно также поглощение и “переиалучение” двойникующих дислокаций границей зерна. В ГЦК интерметаллиде TiAl при горячей (0,6Тпл) деформации электронная микроскопия in situ обнаружила выход из границы зерна двойникующей дислокации (обычного типа AS), а после того — и стопки таких дислокаций, т. е. рост двойника под давлением серии обычных дислокаций “по ту сторону” границы.
Известны многие геометрические схемы рождения двойников в решетке ОЦК: например, движение расщепленной “звездой” полной дислокации по трем смежным плоскостям. Ho чтобы выбрать наиболее вероятный путь, трудны оценки энергий.