Двигаясь под действием постоянной силы с постоянной скоростью, дислокация может обращать всю работу силы в тепло (в колебания решетки), возбуждая их несколькими способами.
Во-первых, движение поля дислокации порождает упругую волну во всем кристалле, и она затухает (“фононная вязкость”). Во-вторых, фононы рассеиваются на ядре дислокации, и если дислокация движется, то “набегающих спереди” фононов больше (“фононный ветер”). В-третьих, сдвиговая компонента тепловых колебаний решетки вызовет высокочастотные колебания дислокации (с длиной волны Л/b < 10, т. е. порядка пробега фонона) - “флаттер”.
Для всех этих трех случаев “фононного трения” ожидаемое торможение пропорционально скорости: Aт ~ Bv и энергии кванта кТ. При нормировке на атомные частоту vD и объем Q коэффициент пропорциональности В = a(kT/bvD Q) при а ~ 1. Ho Aт ~ Bv означает n = 1 в зависимости (1).
Действительно, для Al, Cu, Zn, LiF, NaCl наблюдали n = 1 и a = 0,4...1,4, но при очень высоких скоростях (0,1...20 м/с) и напряжениях. (Чтобы их достичь без размножения дислокаций, дают короткие импульсы силы и наблюдают большие пробеги с помощью рентгеновской топографии). При “обычных” же v < 1 см/с, как на рис. 47, измеренный показатель n >> 1, так что главное, видимо, не фононное трение, а некие иные механизмы торможения дислокации.