Производительность источника




Главная
Новости
Строительство
Ремонт
Дизайн и интерьер
Строительная теплофизика
Прочность сплавов
Основания и фундаменты
Осадочные породы
Прочность дорог
Минералогия глин
Краны башенные
Справочник токаря
Цементный бетон




13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017


13.07.2017





Яндекс.Метрика
         » » Производительность источника

Производительность источника

26.07.2017


Обычные напряжения пластического течения ткр/G ~ 10в-4...10в-2 (от чистых монокристаллов до самых высокопрочных сплавов). Очевидно, при пластической деформации работают в основном источники с базой L/b ~ 10в4...10в2, т. е. L < 1 мкм.
Производительность источника, изображенного на рис. 33,б, в принципе не ограничена. Ho поскольку петли не уходят за пределы зерна, их поля в конце концов сделают напряжения на базе AB меньше критического: испустив сколько-то дислокаций, источник остановится. У границ зерна наблюдали серии в несколько десятков дислокаций, вышедших из одного источника. Источник может, испустив 10...20 дислокаций, “развалиться” (поле приводит в движение ветвь, служившую “опорой” в точке закрепления А, как это наблюдали в электронном микроскопе в алюминии). Так или иначе, он прекращает работу под действием поля либо собственной серии дислокаций, либо дислокаций от других источников.

На замкнутой площадке критическое напряжение размножения от источника может определяться не его базой AB, а некоторым (меньшим) расстоянием от А или В до препятствия D (рис. 33, в), непреодолимого для дислокации. Поэтому, в частности, длина базы L не может быть более 1/3 диаметра зерна d в плоскости скольжения.
В однополюсном источнике дислокация с одной закрепленной точкой А вращается, “наматываясь” в спираль и порождая не связанные друг с другом полупетли, если дислокации где-то выходят на свободную поверхность кристалла (рис. 33, г). Такой источник может иметь большую базу (до d/2) и соответственно меньшее критическое напряжение, чем двухполюсный внутри зерна.
Итак, любая дислокация, не лежащая в одной плоскости скольжения, может стать источником размножения при критическом напряжении, которое определяется расстоянием AB между точками выхода ее из плоскости. Дислокации размножаются от дислокаций. Известно, кроме того, рождение дислокаций от границ зерна и от свободной поверхности кристалла, но (в отличие от дислокационных источников) без автоматического рождения второй и следующих дислокаций в том же месте.